SAM-300 LTHVRD-半自動超高真空常溫鍵合設備
SAM-300 LTHVRD是一款專為半導體及異質材料鍵合設計的研發型設備，採用常溫鍵合技術，在超高真空中實現材料表面原子級活化與直接鍵合，無需加熱即可形成高強度共價鍵。
設備相容全尺寸及不規則形狀樣品，可選配獨立鍍膜腔體，製程穩定且產能高效。
| 相容晶圓尺寸 | 控壓精度 | 靶材數量 | 鍵合精度 | 產能 |
|---|---|---|---|---|
| 2-12寸 及不規則尺寸 |
±0.5% | 3 | ≤±0.5mm | WPH1對/2h |
設備特點：
1. 全尺寸相容鍵合
適用於不同尺寸樣品的鍵合需求，包含不規則形狀樣品；
2. 冷泵超快抽真空
設備主腔體配備冷泵，實現快速超高真空環境，且有效減少水汽對鍵合的影響；
3. 離子源活化與納米薄膜原位沉積
採用穩定離子源高效清潔表面氧化物及污染物，並可轟擊靶材實現納米級薄膜濺射沉積；
4. 倒置防塵鍵合
樣品運動過程中鍵合面朝下，有效減少particle對鍵合的影響；
規格參數：
| 項目 | 指標 |
|---|---|
| 晶圓尺寸 | ≤12inch, 向下相容不規則形狀樣品 |
| 適配材料 | Si, LT/LN, Sapphire, InP, SiC, GaAs, GaN, Diamond, Glass etc. |
| 上料模式 | 手動上料 |
| 加壓系統最大壓力 | 80kN |
| 表面處理方式 | 原位活化與濺射沉積 |
| 濺射靶材 | ≥3個,可旋轉 |
| 鍵合強度 | ≥2.5J/m²@常溫(Si-Si、玻璃-玻璃鍵合) |