SAM-310 HB-全自動混合鍵合設備
SAM-310 HB是一款全自動的C2W（晶片對晶圓）和W2W（晶圓對晶圓）雙模式集成的混合鍵合設備，支援8/12英寸晶圓，可處理35μm超薄晶片及多種尺寸的晶片。設備支援C2W和W2W兩種模式的並行開發驗證，使得研發轉量產時間週期大幅縮短。
| 相容晶圓尺寸 | 晶片最小尺寸 | 晶片最小厚度 | 鍵合方向 | W2W鍵合精度 | C2W鍵合精度 |
|---|---|---|---|---|---|
| 8-12寸 | 0.5*0.5mm | 35μm | 可選從下往上 | ±100nm | ±200nm |
設備特點：
1. 雙模製程集成
設備採用高度靈活的模組化設計，兼具C2W和W2W雙模式混合鍵合；
2. 投資成本降低30%
對比分別採購C2W和W2W設備，一體化設計減少冗餘模組；
3. 占地面積縮減60%
對比分別採購C2W和W2W設備，緊湊型架構減少占地面積；
4. 提升設備模組使用率
C2W鍵合作業過程中，電漿活化和清洗模組可用於W2W鍵合，避免模組閒置、提升使用率；
規格參數：
| 項目 | 參數 |
|---|---|
| 設備模組 | 活化、清洗、頂取、對準、C2W鍵合、W2W 鍵合、檢測，解鍵合 |
| LP規格 | FOUP*2，TF*2 |
| 晶圓尺寸 | 8,12英寸 |
| 對準方式 | 片間同軸， 紅外穿透 |
| Chip尺寸 | 片間同軸對準 : 0.5mm*0.5mm—50mm*50mm |
| 紅外穿透對準 : 5mm*8mm—40mm*40mm | |
| C2W對準精度 | 片間同軸 : ＜100nm@3σ |
| 紅外穿透 : ＜50nm@3σ | |
| C2W鍵合精度 | 片間同軸 : Max＜500nm |
| 紅外穿透 : Max＜200nm | |
| W2W對準精度 | ＜50nm@3σ |
| W2W鍵合精度 | Max＜200nm |
| UPH | 單鍵合頭>1000@100nm@3σ |
| WPH | >12 bonds |
| 外形尺寸 | 7316(L)×2900(W)×2700(H)mm |
| 總重量 | 7500kg |