SAM-100 HB-全自動C2W混合鍵合設備
SAM-100 HB是一款全自動C2W混合鍵合設備，既可以使用有圖案晶片進行C2W混合鍵合，實現Cu-Cu高密度互聯；也可以使用無圖案的裸晶片進行C2W親水性鍵合，形成重組晶圓後，再進行後續的晶片圖案化。
| 兼容晶圓尺寸 | 晶片最小尺寸 | 晶片最小厚度 | 鍵合方向 | 鍵合精度 | 單鍵合頭產能 |
|---|---|---|---|---|---|
| 8-12寸 | 0.5*0.5mm | 35μm | 可選從下往上 | ±200nm | UPH≥400 @±200nm 鍵合精度 |
設備特點：
1. 強大的晶片尺寸相容能力
通過優化晶片拾取技術，晶片厚度最薄至35μm，尺寸跨度0.5*0.5mm—50*50mm；
2. 相容不同對準方式
片間同軸：鍵合精度≤±500nm；紅外穿透：鍵合精度≤±200nm；
3. 可選從下往上鍵合
除從上往下之外，可選從下往上鍵合。從下往上鍵合過程中，晶圓鍵合面朝下，晶片無需翻轉，大大降低顆粒污染風險；
4. overlay即時測量與回饋控制
晶片鍵合後即時測量overlay，通過演算法在後續晶片鍵合中自動進行補償，保證穩定的鍵合精度；
規格參數：
| 項目 | 參數 |
|---|---|
| 設備模組 | 活化、清洗、頂取、對準、鍵合、檢測 |
| LP規格 | FOUP*2，TF*2 |
| 晶圓尺寸 | 8,12英寸 |
| 對準方式 | 片間同軸， 紅外穿透 |
| Chip尺寸 | 片間同軸對準 : 0.5mm*0.5mm—50mm*50mm |
| 紅外穿透對準 : 5mm*8mm—40mm*40mm | |
| 對準精度 | 片間同軸 : ＜100nm@3σ |
| 紅外穿透 : ＜50nm@3σ | |
| 鍵合精度 | 片間同軸 : Max＜500nm |
| 紅外穿透 : Max＜200nm | |
| UPH | 單鍵合頭>1000@100nm@3σ |
| 外形尺寸 | 4700(L)×3400(W)×2700(H)mm |
| 總重量 | 6000kg |